Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом

Ташкент: Фан, 2005. — 250 с.В этой уникальной монографии рассматриваются: сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзёренные, электронные и физические границы в полупроводниках; физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-n-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого p-n-nepexoдa; структуры с запирающим р-n-переходом, возможности улучшения температурных и фотоэлектрических свойств; термоэлектрический и фотовольтаические эффекты в микрорежимных полевых транзисторах; физические основы и принципы создания усовершенствованных структур; двухбарьерные и многослойные структуры с интегрированной изотипной и металло-полупроводниковой областью; фотоэлектрические явления в трехбарьерной структуре; технологические приемы создания структур для солнечных элементов с поверхностным и объёмным микрорельефным р-n-переходами.Представляет интерес не только для специалистов по физике полупроводников, но и для широкого круга лиц, интересующихся новыми полупроводниковыми приборами, преподавателей вузов, студентов и аспирантов.